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EAN 0740617331653 - Kingston Technology FURY Impact módulo de memoria 1 x 32 GB 5600 MT/s 262-pin SO-DIMM imagen 1

Memoria Ram Kingston Fury Impact So-Dimm Ddr5 5600mhz 32gb Cl40

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Marca: Kingston
P/N: KF556S40IB-32 EAN: 0740617331653

Kingston Technology FURY 32 GB 5600 MT/s DDR5 CL40 SODIMM Impact PnP. Componente para: Portátil, Memoria interna: 32 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40

Colección relacionada Descubrir nuestra selección de Memorias sodimm DDR5

Kingston Technology FURY Impact módulo de memoria 1 x 32 GB 5600 MT/s 262-pin SO-DIMM

Memoria Kingston FURY™ Impact DDR5 - Módulos de 8 GB, 16 GB y 32 GB con capacidades de hasta 6400 MT/s
Su portátil o su equipo de factor de forma pequeño puede ahora experimentar la más avanzada tecnología de memoria con Kingston FURY™ Impact DDR5. Con capacidades de kit de SODIMM con certificación XMP 3.0 de Intel® de hasta 64 GB, Kingston FURY Impact DDR5 incorpora todos los avances de una DDR5 en un delgado y compacto factor de forma. En módulos compatibles con Plug N Play, Kingston FURY Impact DDR5 se sobreacelera automáticamente, disparando el rendimiento del sistema sin necesidad de habilitar un perfil. Los modelos que incorporan perfiles XMP 3.0 pueden sobreacelerarse hasta la más alta frecuencia publicada, unas 6400 MT/s, seleccionando el perfil en los ajustes del BIOS.

Gran rendimiento SODIMM DDR5
Con una velocidad inicial de 4800 MT/s, DDR5 es un 50% más rápida que DDR4, lo cual supone una mejora de rendimiento para juegos, renderización y multitarea.

Función de sobreaceleración automática Plug N Play
Los módulos PnP de Kingston FURY Impact DDR5 se sobreaceleran automáticamente hasta la velocidad de referencia más alta.Función de sobreaceleración automática Plug N Play - Los módulos PnP de Kingston FURY Impact DDR5 se sobreaceleran automáticamente hasta la velocidad de referencia más alta.

Con certificación XMP 3.0 de Intel®
Maximiza el rendimiento de la memoria con temporizaciones, velocidad y tensión preoptimizadas para aceleración.

Menor consumo eléctrico, mayor eficiencia
Mantenga su sistema eficiente, y sin que se recaliente, gracias al bajo consumo eléctrico de los módulos Kingston FURY Impact DDR5.

Mayor estabilidad con ECC interno
Mantenga la integridad de los datos incluso en velocidades de sobreaceleración.

Puntos clave del producto

  • Gran rendimiento SODIMM DDR5
  • Función de sobreaceleración automática Plug N Play*
  • Certificación XMP 3.0 de Intel®
  • Menor consumo eléctrico, mayor eficiencia
  • Mayor estabilidad con ECC interno

Características

  • Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
  • On-Die ECC: Si
  • Latencia CAS: 40
  • Memoria interna: 32 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR5
  • Rango de memoria de transferencia de datos: 5600 MT/s
  • Componente para: Portátil
  • Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
  • ECC: No
  • Clasificación de memoria: 2
  • Voltaje de memoria: 1.1 V
  • Configuración de módulos: 4096M x 64
  • Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
  • Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
  • Tiempo activo en fila: 28,56 ns
  • Intel® Extreme Memory Profile (XMP): Si
  • Versión del perfil Intel XMP (Extreme Memory Profile): 3.0
  • Perfil SPD: Si
  • Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V
  • País de origen: China, Taiwán
  • Tipo de enfriamiento: Disipador térmico
  • Placa de plomo: Oro
  • Estándar JEDEC: Si

Condiciones ambientales

  • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
  • Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C

Peso y dimensiones

  • Ancho: 3,8 mm
  • Profundidad: 69,6 mm
  • Altura: 30 mm
  • Peso: 10 g

Empaquetado

  • Ancho del paquete: 57,1 mm
  • Profundidad del paquete: 14 mm
  • Altura del paquete: 171,4 mm
  • Peso del paquete: 26,72 g

Descargar ficha técnica (PDF)

Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 32 gb
Latencia CAS
40
Memoria interna
32 gb
Tipo de memoria interna
Ddr5
Voltaje de memoria
1.1 v