

Características | |
Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
Latencia CAS | 11 |
Memoria interna | 8 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR3 |
Velocidad de memoria del reloj | 1600 MHz |
Componente para | Portátil |
Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM |
ECC | No |
Voltaje de memoria | 1.5 V |
Configuración de módulos | 512M x 8 |
Empaquetado | |
Tipo de embalaje | SO-DIMM |
Silicon Power 8GB DDR3 1600 MHz. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR3, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 11