memoria-ram-silicon-power-ddr4-4gb-2666mhz-cl19-so-dimm-12v
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MEMORIA RAM SILICON POWER DDR4 4GB 2666MHZ CL19 SO-DIMM 1.2V

11,45 €
Capacidad total: 4 GB; Tecnología: DDR4 tft; Frecuencia (Bus clock rate): 2666 MHz; Tipología: SO-DIMM; Kit: No; Nombre módulo: NA; Generica: Sí
Referencia:902189487
PN:SP004GBSFU266X02
EAN:4713436143932
Cantidad
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Silicon Power SP004GBSFU266X02 módulo de memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz

Características
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS 19
Memoria interna 4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 4 GB
Tipo de memoria interna DDR4
Velocidad de memoria del reloj 2666 MHz
Componente para Portátil
Forma de factor de memoria 260-pin SO-DIMM
ECC No
Voltaje de memoria 1.2 V
Retroiluminación No
Certificación CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS
Otras características
Código de Sistema de Armomización (SA) 84733020

Silicon Power SP004GBSFU266X02. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19

902189487

Ficha técnica

LATENCIA CAS
19
MEMORIA INTERNA
4 GB
TIPO DE MEMORIA INTERNA
SODIMM DDR4
VELOCIDAD DE MEMORIA DEL RELOJ
2666 MHZ
VOLTAJE DE MEMORIA
1.2 V
Nuevo