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SAMSUNG 9100 PRO 1 TB (PCIE 5.0 X4, NVME 2.0, M.2 2280) MZ-VAP1T0BW

195,45 €
Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Referencia:904169963
PN:MZ-VAP1T0BW
EAN:8806095811628
Cantidad
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Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Características
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
SDD, capacidad1 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/ordenador portátil
Encriptación de hardwareSi
Velocidad de lectura14700 MB/s
Velocidad de escritura13300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)7,2 W
Peso y dimensiones
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm
Peso9 g
Empaquetado
Tipo de embalajeCaja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G

Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil

904169963

Ficha técnica

CAPACIDAD SSD
1 TB
FACTOR DE FORMA DE DISCO SSD
M.2
NVME
SI
Nuevo