G.Skill 4GB DDR3-1600 SQ módulo de memoria 2 x 2 GB 1600 MHz, Memoria RAM 4 GB, 2 x 2 GB, DDR3, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM, Lite Retail
Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 2 GB, Tipo de memoria interna: DDR3, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 9
Caracteristicas:
Tipo |
SDRAM-DDR3 |
EAN |
4711148597333 |
Código del fabricante |
F3-12800CL9D-4GBSQ |
Serie |
SQ |
Capacidad |
4 GB (2 x 2 GB) |
Módulos |
2 unidad(es) |
Diseño |
SO-DIMM |
Equipamiento |
dos caras |
Conexión |
204 pines |
Voltaje |
1,5 voltios (por 1,425 hasta 1,575 voltios) |
Estándar |
DDR3-1600 (PC3-12800) |
Sincronizaciones |
Latencia CAS (CL) |
9 |
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RAS-al-CAS Delay (tRCD) |
9 |
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Tiempo RAS Precharge (tRP) |
9 |
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Tiempo activo (tRAS) de fila |
28 |
Peso |
175 gramos |