G.Skill 4GB DDR3-1600 SQ módulo de memoria 2 x 2 GB 1600 MHz, Memoria RAM 4 GB, 2 x 2 GB, DDR3, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM, Lite Retail
Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 2 GB, Tipo de memoria interna: DDR3, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 9
Caracteristicas:
| Tipo |
SDRAM-DDR3 |
| EAN |
4711148597333 |
| Código del fabricante |
F3-12800CL9D-4GBSQ |
| Serie |
SQ |
| Capacidad |
4 GB (2 x 2 GB) |
| Módulos |
2 unidad(es) |
| Diseño |
SO-DIMM |
| Equipamiento |
dos caras |
| Conexión |
204 pines |
| Voltaje |
1,5 voltios (por 1,425 hasta 1,575 voltios) |
| Estándar |
DDR3-1600 (PC3-12800) |
| Sincronizaciones |
Latencia CAS (CL) |
9 |
|
RAS-al-CAS Delay (tRCD) |
9 |
|
Tiempo RAS Precharge (tRP) |
9 |
|
Tiempo activo (tRAS) de fila |
28 |
| Peso |
175 gramos |